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元件参数资料
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参数目录40266
> SI6926ADQ-T1-E3 MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP
型号:
SI6926ADQ-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI6926ADQ-T1-E3 PDF
产品目录绘图
DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
830mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装
8-TSSOP
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI6926ADQ-T1-E3CT
查看SI6926ADQ-T1-E3代理商
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